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标题
Low‐Pressure, Modified Halide Vapor‐Phase Epitaxy for Chemically Pure GaN Epilayers
化学纯GaN外延层的低压改性卤化物气相外延
相关领域
卤化物 外延 气相 材料科学 光电子学 相（物质） 化学 纳米技术 无机化学 热力学 图层（电子） 物理 有机化学
网址
https://doi.org/10.1002/pssb.202400035
DOI
10.1002/pssb.202400035 doi
其它 期刊：physica status solidi (b)
作者：Jacob H. Leach; Kevin Udwary; Gregg Dodson; Binh Tinh Tran; Heather Splawn
出版日期：2024-03-04
求助人
k2006 在 2025-12-03 20:35:04 发布自重庆，悬赏 10 积分
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