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[高分] Analysis of the influence of the traps on the AlGaN/GaN MOSHEMT characteristics for low leakage power devices
低漏功率器件中陷阱对AlGaN/GaN MOSHEMT特性的影响分析
相关领域
材料科学 光电子学 泄漏（经济） 氮化镓 工程物理 纳米技术 物理 宏观经济学 经济 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.1504/ijnt.2024.141758
DOI
10.1504/ijnt.2024.141758 doi
其它 期刊：International Journal of Nanotechnology
作者：Nazrul Islam; Mohd Syamsul; Alhan Farhanah Abd Rahim; Muhammad Firdaus Akbar; Nor Azlin Ghazali; et al
出版日期：2024-01-01
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万能图书馆 在 2025-12-06 16:11:46 发布自福建，悬赏 200 积分
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