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 34.4 A 3nm, 32.5TOPS/W, 55.0TOPS/mm2 and 3.78Mb/mm2 Fully-Digital Compute-in-Memory Macro Supporting INT12 × INT12 with a Parallel-MAC Architecture and Foundry 6T-SRAM Bit Cell 34.4 A 3nm、32.5 TOPS/W、55.0 TOPS/mm2和3.78 MB/mm2全数字内存计算宏，支持INT12 × INT12，采用并行MAC架构和代工6T-SRAM位单元
相关领域
宏
计算机科学
并行计算
物理
计算科学
程序设计语言
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| 其它 |
期刊：2024 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) 作者：Hidehiro Fujiwara; Haruki Mori; Wei-Chang Zhao; Kinshuk Khare; Cheng-En Lee; et al 出版日期：2024-03-14 |
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