Double‐Gate MoS2 Field‐Effect Transistors with Full‐Range Tunable Threshold Voltage for Multifunctional Logic Circuits

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标题	Double‐Gate MoS2 Field‐Effect Transistors with Full‐Range Tunable Threshold Voltage for Multifunctional Logic Circuits 多功能逻辑电路用全范围可调阈值电压双栅MoS2场效应晶体管相关领域噪声裕度逆变器材料科学与非门逻辑门晶体管阈值电压电子线路场效应晶体管电压通流晶体管逻辑等效门电路电子工程光电子学电气工程栅氧化层工程类
网址	https://doi.org/10.1002/adma.202101036
DOI	10.1002/adma.202101036 doi
其它	期刊：Advanced Materials 作者：Jiali Yi; Xingxia Sun; Chenguang Zhu; Shengman Li; Yong Liu; et al 出版日期：2021-05-31
求助人	果子在 2025-08-18 19:28:17 发布自江苏，悬赏 10 积分
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