| 标题 |
 Capacitance-voltage characteristics of the p-Cd0.27Hg0.73Te-based structures with a wide-gap graded-gap surface layer 宽间隙渐变间隙表面层p-Cd0.27Hg0.73Te基结构的电容-电压特性
相关领域
电容
电压
材料科学
磁滞
电场
耗尽区
空间电荷
凝聚态物理
高原（数学）
电子
图层（电子）
光电子学
分析化学（期刊）
化学
物理
纳米技术
数学
电极
数学分析
量子力学
物理化学
色谱法
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Semiconductors 作者：В. В. Васильев; Yu. P. Mashukov 出版日期：2007-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
无极微光
cdercder
Nole
arniu2008
8R60d8
馨馨的科科
XX
huang
OK
超帅的笑蓝
修仙中
学术文献互助
xing_xing
三三三
leery
aaaa
aajhajkahna
Kao
昏睡的蟠桃
渡人舟
皖公网安备34019202002308
