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标题
LPCVD grown n-type doped β-Ga2O3 films on c-plane sapphire using TEOS precursor
用TEOS前驱体在c面蓝宝石上LPCVD生长n型掺杂β-Ga2O3薄膜
相关领域
材料科学 蓝宝石 兴奋剂 化学气相沉积 平面（几何） 化学工程 光电子学 光学 激光器 几何学 物理 数学 工程类
网址
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2025.109697
DOI
10.1016/j.mssp.2025.109697 doi
其它 期刊：Materials Science in Semiconductor Processing
作者：Modassir Anwer; Amit Verma
出版日期：2025-05-20
求助人
hui 在 2025-07-28 11:41:53 发布自福建，悬赏 10 积分
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