| 标题 |
[高分]
 Performance of InP/InGaAs HBTs with a Thin Highly <i>N</i>-Type Doped Layer in the Emitter-Base Heterojunction Vicinity 发射极-基异质结附近具有薄高N型掺杂层的InP/InGaAs HBTs的性能
相关领域
共发射极
材料科学
光电子学
异质结
双极结晶体管
兴奋剂
截止频率
异质结双极晶体管
电容
电压
电气工程
晶体管
化学
电极
工程类
物理化学
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期刊：IEICE Transactions on Electronics 作者：Kenji Kurishima; M. Ida; Norihide Kashio; Yoshino K. Fukai 出版日期：2012-01-01 |
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