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标题
Impact of the channel doping on the low-frequency noise of gate-all-around silicon vertical nanowire pMOSFETs
沟道掺杂对栅极全包围硅垂直纳米线PMOSFET低频噪声的影响
相关领域
材料科学 绝缘体上的硅 兴奋剂 纳米线 光电子学 阈下传导 次声 硅 闪烁噪声 噪音（视频） 阈下斜率 硅纳米线 MOSFET 光谱密度 阈值电压 电压 纳米技术 晶体管 电气工程 CMOS芯片 物理 噪声系数 电信 声学 人工智能 工程类 放大器 图像（数学） 计算机科学
网址
https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108576
AI链接 handle.net ugent.bedoi.org
DOI
10.1016/j.sse.2022.108576 doi
其它 期刊：Solid-State Electronics
作者：Eddy Simoen; A. Veloso; Philippe Matagne; Cor Claeys
出版日期：2022-12-21
求助人
CodeCraft 在 2025-08-28 17:31:09 发布，悬赏 10 积分
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