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标题
Application of long short-term memory modeling technique to predict process variation effects of stacked gate-all-around Si nanosheet complementary-field effect transistors
应用长短期记忆建模技术预测堆叠栅全能硅纳米片互补场效应晶体管的工艺变化效应
相关领域
纳米片 工艺变化 计算机科学 感知器 算法 晶体管 过度拟合 阈值电压 电压 材料科学 电子工程 人工智能 过程（计算） 人工神经网络 工程类 纳米技术 电气工程 操作系统
网址
https://doi.org/10.1016/j.compeleceng.2022.108554
DOI
10.1016/j.compeleceng.2022.108554 doi
其它 期刊：Computers & Electrical Engineering
作者：Rajat Butola; Yiming Li; Sekhar Reddy Kola; Chandni Akbar; Min-Hui Chuang
出版日期：2022-12-24
求助人
Ada 在 2025-08-30 07:21:20 发布，悬赏 10 积分
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