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 Application of long short-term memory modeling technique to predict process variation effects of stacked gate-all-around Si nanosheet complementary-field effect transistors 应用长短期记忆建模技术预测堆叠栅全能硅纳米片互补场效应晶体管的工艺变化效应
相关领域
纳米片
工艺变化
计算机科学
感知器
算法
晶体管
过度拟合
阈值电压
电压
材料科学
电子工程
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工程类
纳米技术
电气工程
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期刊：Computers & Electrical Engineering 作者：Rajat Butola; Yiming Li; Sekhar Reddy Kola; Chandni Akbar; Min-Hui Chuang 出版日期：2022-12-24 |
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