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 Unveiling microstructural damage for leakage current degradation in SiC Schottky diode after heavy ions irradiation under 200 V 相关领域
肖特基二极管
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Xiaoyu Yan; Pengfei Zhai; Chen Yang; Shiwei Zhao; Shuai Nan; et al 出版日期：2024-07-22 |
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