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Effects of hydrogen impurities on performances and electrical reliabilities of indium-gallium-zinc oxide thin film transistors 氢杂质对铟镓锌氧化物薄膜晶体管性能和电可靠性的影响
相关领域
材料科学
薄膜晶体管
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期刊:Acta Physica Sinica 作者: Shao Yan; Ding Shi-Jin; 出版日期:2020-12-15 |
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