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Engineering interface-type resistance switching based on forming current compliance in ITO/Ga2O3:ITO/TiN resistance random access memory: Conduction mechanisms, temperature effects, and electrode influence 相关领域
锡
热传导
材料科学
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Chih-Hung Pan; Ting‐Chang Chang; Tsung‐Ming Tsai; Kuan‐Chang Chang; Po‐Hsun Chen; et al 出版日期:2016-10-31 |
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