Dipole engineering at HfO2/SiO2 interface by ultra-thin Al2O3 to modulate flat-band voltage for cryogenic temperatures

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标题	Dipole engineering at HfO2/SiO2 interface by ultra-thin Al2O3 to modulate flat-band voltage for cryogenic temperatures
网址	https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2025.114073
DOI	10.1016/j.vacuum.2025.114073 doi
其它	期刊：Vacuum 作者：Ziqiang Huang; Tao Liu; Lewen Qian; Xinlong Guo; Meicheng Liao; et al 出版日期：2025
求助人	清爽的傲旋在 2026-03-23 20:30:12 发布自陕西，悬赏 10 积分
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