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[高分]
Revisiting Negative Capacitance Effect for 1T-DRAM Application |
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Md Moqueet Ahmad; Alok Kumar Kamal; Harshit Agarwal; Avinash Lahgere 出版日期:2026-04-21 |
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(2025-6-4)