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 Investigation of recessed‐source/drain SOI feedback FET‐based integrate and fire neuron circuit with compact model of threshold switching devices 基于嵌入式源/漏SOI反馈场效应管的集成和放电神经元电路的阈值开关器件紧凑模型研究
相关领域
绝缘体上的硅
材料科学
光电子学
电子工程
电气工程
计算机科学
工程类
硅
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| 其它 |
期刊：International Journal of Numerical Modelling Electronic Networks Devices and Fields 作者：Sasi Kiran Suddarsi; K.J. Dhanaraj; Gopi Krishna Saramekala 出版日期：2024-09-01 |
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