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 Design of operational transconductance amplifier with Gate-All-Around Nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200 °C 利用室温至200°C的实验数据设计具有全栅极纳米片MOSFET的运算跨导放大器
相关领域
跨导
晶体管
材料科学
光电子学
电气工程
运算跨导放大器
放大器
电容
电压
运算放大器
CMOS芯片
工程类
物理
电极
量子力学
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期刊：Solid-state Electronics 作者：Julia C. S. Sousa; Welder F. Perina; Roberto Rangel; Eddy Simoen; A. Veloso; et al 出版日期：2022-01-11 |
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