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 n-Type Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor Based on 100-Period Fully Strained SiGe/Si Nanostructures with Superlattice Epitaxy for Three-Dimensional Dynamic Random-Access Memory 用于三维动态随机存储器的基于100周期全应变SiGe/Si纳米结构的超晶格外延n型金属氧化物半导体场效应晶体管
相关领域
超晶格
材料科学
外延
场效应晶体管
氧化物
光电子学
半导体纳米结构
句号（音乐）
金属
半导体
晶体管
纳米技术
图层（电子）
冶金
物理
电气工程
工程类
电压
声学
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期刊：ACS Applied Nano Materials 作者：Ying Zhang; X. Z. Wang; Shujuan Mao; Jing Liang; Liu Ming-Li; et al 出版日期：2025-04-07 |
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