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 A 28nm 4Mb Embedded RRAM IP with Record-High Endurance of 107 Cycles and 10 Years@125°C Retention through Reliability-Enhanced Design-Technology Co-Optimization 28纳米4Mb嵌入式RRAM IP，通过可靠性增强的设计-技术协同优化，具有创纪录的107次循环耐久性和10年的125°C保持能力
相关领域
可靠性（半导体）
电阻随机存取存储器
计算机科学
可靠性工程
数据保留
电气工程
工程类
物理
计算机安全
热力学
功率（物理）
电压
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| 其它 |
期刊：2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：Junyang Zhang; Xiangchao Ma; Yue Xi; Yuyao Lu; Kun Wang; et al 出版日期：2024-12-07 |
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