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 Nanoscale recessed T-gated ScAlN/GaN-HEMT on SiC wafer with graded back-barrier and Fe-doped buffer for future RF power amplifiers: a simulation study 用于未来射频功率放大器的SiC晶片上具有分级后势垒和Fe掺杂缓冲器的纳米级凹进T门控ScAlN/GaN-HEMT：模拟研究
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期刊：Journal of the Korean Physical Society 作者：B. Mounika; J. Ajayan; Asisa Kumar Panigrahy; Raghunandan Swain; S. Sreejith 出版日期：2024-11-12 |
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