Measurement and Calculation of SiH2 Radical Density in SiH4 and Si2H6 Plasma for the Deposition of Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Films

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标题	Measurement and Calculation of SiH2 Radical Density in SiH4 and Si2H6 Plasma for the Deposition of Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Films 用于沉积氢化非晶硅薄膜的SiH4和Si2H6等离子体中SiH2自由基密度的测量和计算相关领域离解（化学）分析化学（期刊）稀释化学等离子体硅键离解能物理化学色谱法量子力学热力学物理有机化学
网址	https://doi.org/10.1143/jjap.34.4239
DOI	10.1143/jjap.34.4239 doi
其它	期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Tatsuru Shirafuji; Kunihide Tachibana; Yasuji Matsui 出版日期：1995-08-01
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