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 Effect of Positive Bias Stress on the Back-Gate Voltage-Modulated Threshold Voltage in Double-Gate Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors 正偏压对双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管背栅电压调制阈值电压的影响
相关领域
无定形固体
符号
薄膜晶体管
数学
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物理
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结晶学
化学
电极
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Jingyu Park; Shinyoung Park; Jun Tae Jang; Sung‐Jin Choi; Dong Myong Kim; et al 出版日期：2022-09-12 |
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