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标题
Effect of p-InGaN Cap Layer on Low-Resistance Contact to p-GaN: Carrier Transport Mechanism and Barrier Height Characteristics
p-InGaN盖层对与p-GaN低电阻接触的影响：载流子输运机制和势垒高度特性
相关领域
阻挡层 接触电阻 材料科学 光电子学 机制（生物学） 图层（电子） 纳米技术 物理 量子力学
网址
https://www.mdpi.com/2073-4352/15/1/56/pdf?version=173631046...
AI链接 mdpi.com mdpi.com cea.hal.science doaj.orgdoi.org
DOI
10.3390/cryst15010056 doi
其它 期刊：Crystals
作者：Mohit Kumar; Laurent Xu; Timothée Labau; J. Biscarrat; S. Torrengo; et al
出版日期：2025-01-08
求助人
无辜豪英 在 2025-12-04 17:50:17 发布自重庆，悬赏 10 积分
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