Power aware FinFET and lateral nanosheet FET targeting for 3nm CMOS technology

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标题	Power aware FinFET and lateral nanosheet FET targeting for 3nm CMOS technology 相关领域纳米片 CMOS芯片节点（物理）逻辑门功率（物理）电子工程材料科学还原（数学） MOSFET 金属浇口电气工程计算机科学光电子学工程类晶体管纳米技术电压栅氧化层物理几何学数学量子力学结构工程
网址	https://doi.org/10.1109/iedm.2017.8268429
DOI	10.1109/iedm.2017.8268429 doi
其它	期刊：作者：Dmitry Yakimets; M. Garcia Bardon; Doyoung Jang; P. Schuddinck; Yasser Sherazi; et al 出版日期：2017-12-01
求助人	李沐唅在 2026-01-09 21:16:32 发布自贵州，悬赏 10 积分
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