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标题
First integration of Ni barrier layer for enhanced threshold switching characteristics in Ag/HfO2-based TS device
相关领域
阻挡层 图层（电子） 材料科学 光电子学 纳米技术
网址
https://doi.org/10.1016/j.mtadv.2024.100492
AI链接 doi.org doaj.orgdoi.org
DOI
10.1016/j.mtadv.2024.100492 doi
其它 期刊：Materials Today Advances
作者：Daeyoung Chu; Sanghyun Kang; Gwon Kim; Juho Sung; Jaehyuk Lim; et al
出版日期：2024-05-03
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着急的平文 在 2026-01-08 21:28:59 发布自云南，悬赏 10 积分
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