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 High-Voltage Silicon-Carbide Thyristor with an n-type Blocking Base 具有n型阻断基极的高压碳化硅晶闸管
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期刊：Semiconductors 作者：M. E. Levinshteĭn; T. T. Mnatsakanov; S. N. Yurkov; A. G. Tandoev; Sei‐Hyung Ryu; et al 出版日期：2016-03-01 |
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