The Effect of Si/SiO2 Interface on the Electrical Properties of MOS Device with Nano Layer Silicon Dioxide Grown by Induced Laser Oxidation

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标题	The Effect of Si/SiO2 Interface on the Electrical Properties of MOS Device with Nano Layer Silicon Dioxide Grown by Induced Laser Oxidation
网址	http://dx.doi.org/10.33899/rjs.2017.139276
DOI	10.33899/rjs.2017.139276 doi
其它	期刊：Rafidain Journal of Science 作者：Mohand M. Alyass; Laith M. Al- Taan 出版日期：2017-12-01
求助人	核桃在 2026-07-22 14:36:51 发布自湖北，悬赏 10 积分
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