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GeSe/MoTe2 vdW heterostructure for UV–VIS–NIR photodetector with fast response 相关领域
响应度
光电探测器
材料科学
光电子学
异质结
光探测
紫外线
半导体
比探测率
宽带
吸收(声学)
带隙
电子迁移率
光学
物理
复合材料
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Ping Chen; Lejing Pi; Zexin Li; Haoyun Wang; Xiang Xu; et al 出版日期:2022-07-11 |
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