High-resolution characterization of nitrogen doping concentration uniformity in n-type 4H-SiC wafers based on near-ultraviolet photoluminescence

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标题	High-resolution characterization of nitrogen doping concentration uniformity in n-type 4H-SiC wafers based on near-ultraviolet photoluminescence
网址	https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S136980012...
DOI	10.1016/j.mssp.2026.110580 doi
其它	期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Dapeng Chang; Mengyan Li; Xiufang Chen; Xianglong Yang; Muqing Zhang; et al 出版日期：2026-01-01
求助人	任风在 2026-08-11 19:12:33 发布自山东，悬赏 10 积分
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