Depth profiling of the Si ion implantation induced disorder and strain in 4H-SiC and the thermal annealing recovery

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标题	Depth profiling of the Si ion implantation induced disorder and strain in 4H-SiC and the thermal annealing recovery
网址	https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2024.160296
DOI	10.1016/j.apsusc.2024.160296 doi
其它	期刊：Applied Surface Science 作者：Gaurav Gupta; Przemyslaw Jozwik; Sunil Ojha; G.R. Umapathy; Akhilesh Pandey; Shyama Rath 出版日期：2024
求助人	丁新基在 2026-04-11 22:34:49 发布自青海，悬赏 10 积分
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