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 Design and Fabrication of a Novel 1200 V 4H-SiC Trench MOSFET With Periodically Grounded Trench Bottom Shielding 相关领域
沟槽
制作
电磁屏蔽
材料科学
MOSFET
光电子学
碳化硅
电气工程
工程类
晶体管
纳米技术
复合材料
电压
病理
替代医学
图层（电子）
医学
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Jun Yuan; Wei Chen; Fei Guo; Kuan Wang; Zhijie Cheng; et al 出版日期：2025-04-28 |
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