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![]() 具有优化的HfO₂/Al₂O₃多层阈值开关器件的陡峭开关全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)相变场效应晶体管
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Sangwoo Han; Sojin Jeong; Jaemin Shin; Changhwan Shin 出版日期:2021 |
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