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  Synaptic Behavior in SnSe2 Field‐Effect Transistors Induced by Surface Oxide and Trap Dynamics 相关领域
神经形态工程学
材料科学
光电子学
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锡
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期刊：Advanced Electronic Materials 作者：Andrea Sessa; Sebastiano De Stefano; Ofelia Durante; A. Pelella; M. Aldrigo; et al 出版日期：2026-02-19 |
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