Lowering interface state density in carbon nanotube thin film transistors through using stacked Y2O3/HfO2 gate dielectric

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标题	Lowering interface state density in carbon nanotube thin film transistors through using stacked Y2O3/HfO2 gate dielectric 叠层Y2O3/HfO2栅介质降低碳纳米管薄膜晶体管界面态密度相关领域材料科学光电子学薄膜晶体管栅极电介质跨导碳纳米管阈值电压晶体管电介质纳米技术图层（电子）电压电气工程工程类
网址	https://doi.org/10.1063/1.5039967
DOI	10.1063/1.5039967 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Lin Xu; Ningfei Gao; Zhiyong Zhang; Lian‐Mao Peng 出版日期：2018-08-20
求助人	jxl 在 2025-04-08 21:33:52 发布自湖南，悬赏 10 积分
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