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Geometric and Electronic Properties of Monolayer HfX2 (X = S, Se, or Te): A First-Principles Calculation
单分子层HfX2(X=S、Se或Te)的几何和电子性质:第一性原理计算
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期刊:Frontiers in materials 作者:Thi My Duyen Huynh; Duy Khanh Nguyen; Thi Dieu Hien Nguyen; Vo Khuong Dien; Hai Duong Pham; et al 出版日期:2021-03-01 |
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