标题 |
SiOx/polysilicon selective emitter prepared by PECVD-deposited amorphous silicon plus one-step firing enabling excellent J0,met of < 235 fA/cm2 and ρc of < 2 mΩ·cm2
采用PECVD沉积非晶硅加一步烧成法制备SiOx/多晶硅选择性发射极,具有优异的J0,met<235 fA/cm2,ρc<2 mΩ·cm2
相关领域
硅
材料科学
电流(流体)
纳米技术
光电子学
工程物理
物理
电气工程
工程类
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DOI |
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