| 标题 |
 An extended-temperature I-V model for GaN HEMTs GaN HEMTs的扩展温度I-V模型
相关领域
高电子迁移率晶体管
氮化镓
非线性模型
晶体管
非线性系统
大气温度范围
放大器
材料科学
饱和（图论）
电压
光电子学
计算机科学
生物系统
电子工程
电气工程
物理
数学
工程类
热力学
纳米技术
组合数学
生物
量子力学
CMOS芯片
图层（电子）
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Solid-State Electronics 作者：Jie Yang; Junxian Zhu 出版日期：2022-05-26 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
科研通AI6.2
互助
Criminology34
GingerF
Cakoibao
Ankar
Mic
6666
轨迹
nanfang
呜呜呜
无极微光
领导范儿
核潜艇很优秀
RC_Wang
yyds
别离辞
悠悠
loii
ckchueng
寻道图强
Twonej
Vicky
丘比特
皖公网安备34019202002308
