| 标题 |
 Hot-carrier induced degradation of Ge/STI interfaces in Ge-on-Si junction devices Ge-on-Si结器件中热载流子诱导的Ge/STI界面退化
相关领域
降级（电信）
材料科学
锗
光电子学
工程物理
硅
电气工程
工程类
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| DOI | |
| 其它 |
期刊：Solid-State Electronics 作者：Solomon Musibau; J. Franco; Artemisia Tsiara; Ingrid De Wolf; Kristof Croes 出版日期：2024-02-02 |
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