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 A Practical Model of Hole Effective Mass of Si on Si1−x Ge x Modulated by External Electric Field and External Strain 外电场和应变调制下Si 1−x Ge x上Si空穴有效质量的实用模型
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期刊：ECS Journal of Solid State Science and Technology 作者：Yasuhisa Ōmura 出版日期：2021-06-01 |
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