| 标题 |
Investigating the Growth of GaSb Single Crystals through Optimized LEC Method Utilizing Finite Element Simulation and Machine Learning Techniques 相关领域
位错
坩埚(大地测量学)
Crystal(编程语言)
有限元法
过冷
人工智能
晶体生长
旋转(数学)
结晶
职位(财务)
单晶
材料科学
方向(向量空间)
结晶学
半导体
锑化镓
光学
空位缺陷
锗
光电子学
机械工程
软件
冯·米塞斯屈服准则
压力(语言学)
接口(物质)
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:ACS omega 作者:Jiaxian Han; Baoqiang Xu; Yun Lei; Feng Hui; Yongbing He; et al 出版日期:2025-12-22 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)