Device to Circuit Co‐Design Utilizing High‐Performance PEALD Indium‐Gallium‐Zinc Oxide Thin‐Film Transistor Enabling Technology Node Scaling in Monolithic 3D Systems

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标题	Device to Circuit Co‐Design Utilizing High‐Performance PEALD Indium‐Gallium‐Zinc Oxide Thin‐Film Transistor Enabling Technology Node Scaling in Monolithic 3D Systems
网址	http://dx.doi.org/10.1002/advs.202510551
DOI	10.1002/advs.202510551 doi
其它	期刊：Advanced Science 作者：Wenhui Wang; Tao Zhang; Zelin Yuan; Haoran Peng; Jun Lan; et al 出版日期：2025-11-16
求助人	过时的黄豆在 2026-08-15 16:26:34 发布自河北，悬赏 10 积分
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