Stacked Gate-All-Around Nanosheet Transistors with Full-Air-Spacers for Reducing Parasitic Capacitance to Improve Device and Circuit Performance

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标题	Stacked Gate-All-Around Nanosheet Transistors with Full-Air-Spacers for Reducing Parasitic Capacitance to Improve Device and Circuit Performance
网址	https://doi.org/10.1016/j.mejo.2024.106535
DOI	10.1016/j.mejo.2024.106535 doi
其它	期刊：作者：Lianlian Li; Lei Cao; Xuexiang Zhang; qingkun li; Zhenhua Wu; et al 出版日期：2024-12-01
求助人	TEL 在 2026-07-05 23:05:45 发布自上海，悬赏 10 积分
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American Institute of Aeronautics and Astronautics (AIAA)

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