TCAD-based investigation of 1/f noise in advanced 22 nm FDSOI MOSFETs

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标题	TCAD-based investigation of 1/f noise in advanced 22 nm FDSOI MOSFETs 基于TCAD的22 nm FDSOI MOSFET 1/f噪声研究相关领域光电子学 MOSFET 材料科学绝缘体上的硅噪音（视频）工程物理电子工程电气工程计算机科学硅工程类晶体管电压图像（数学）人工智能
网址	https://doi.org/10.1063/5.0232149
DOI	10.1063/5.0232149 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Prabhat Khedgarkar; Mohit D. Ganeriwala; Pardeep Duhan 出版日期：2024-11-11
求助人	siwen 在 2025-08-05 16:28:52 发布自湖北，悬赏 10 积分
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