Performance enhancement of recessed silicon channel double gate junctionless field-effect-transistor using TCAD tool

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标题	Performance enhancement of recessed silicon channel double gate junctionless field-effect-transistor using TCAD tool 利用TCAD工具提高凹陷硅沟道双栅无结场效应晶体管的性能相关领域材料科学跨导光电子学硅晶体管排水诱导屏障降低阈值电压场效应晶体管摇摆阈下斜率阈下摆动频道（广播）电气工程电压物理工程类声学
网址	https://doi.org/10.1007/s10825-021-01774-9
DOI	10.1007/s10825-021-01774-9 doi
其它	期刊：Journal of Computational Electronics 作者：Sandeep Kumar; Arun Chatterjee; Rishikesh Pandey 出版日期：2021-09-15
求助人	wlj 在 2025-08-30 14:14:22 发布自山东，悬赏 10 积分
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