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  Investigation of the effect of the doping order in GaN nanowire p–n junctions grown by molecular-beam epitaxy 掺杂顺序对分子束外延生长GaN纳米线p-n结影响的研究
相关领域
分子束外延
兴奋剂
纳米线
材料科学
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光致发光
光电子学
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硅
p-n结
纳米技术
半导体
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期刊：Nanotechnology 作者：Omar Saket; Junkang Wang; Nuño Amador-Méndez; Martina Morassi; Arup K. Kunti; et al 出版日期：2020-11-10 |
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