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 Observation of Intrinsic and LED Light-Enhanced Memristor Performance in In-Plane Ferroelectric NbOI2 面内铁电NbOI2中本征和LED光增强忆阻器性能的观察
相关领域
记忆电阻器
铁电性
材料科学
光电子学
凝聚态物理
平面（几何）
纳米技术
光学
物理
量子力学
电介质
数学
几何学
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期刊：ACS Nano 作者：Zheng Hao; Gaolei Zhao; Juhe Liu; Yunhao Tong; Haoran Li; et al 出版日期：2025-07-26 |
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