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The Trapping Mechanism at the AlGaN/GaN Interface and the Turn-On Characteristics of the p-GaN Direct-Coupled FET Logic Inverters AlGaN/GaN界面俘获机制及p-GaN直接耦合FET逻辑反相器的导通特性
相关领域
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期刊:Nanomaterials 作者:Junfeng Yu; Jihong Ding; T. F. Wang; Yukai Huang; Wan‐Ying Du; et al 出版日期:2024-12-11 |
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