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 A 4H-SiC Trench MOSFET with the vertical field plate coupled floating island and two epi-layers 具有垂直场板耦合浮岛和两层外延层的4H-SiC沟槽MOSFET
相关领域
电场
沟槽
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电压
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电气工程
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物理
图层（电子）
工程类
晶体管
量子力学
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期刊： 作者：Wangda Wang; Dongqing Hu; Xintian Zhou; Yunpeng Jia; Yu Wu 出版日期：2022-10-21 |
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