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 Breakdown field enhancement of Si-based MOS capacitor by post-deposition annealing of the reactive sputtered ZrOxNy gate oxide 反应溅射ZrOxNy栅氧化物沉积后退火增强Si基MOS电容器击穿场
相关领域
退火（玻璃）
电容器
材料科学
氧化物
光电子学
栅氧化层
随时间变化的栅氧化层击穿
沉积（地质）
冶金
电气工程
电压
工程类
晶体管
古生物学
沉积物
生物
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期刊：Applied Physics A 作者：Chun Chet Chew; Kian Heng Goh; Mohammad Saleh Gorji; Chee Ghuan Tan; S. Ramesh; Yew Hoong Wong 出版日期：2016-01-22 |
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