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标题
First Demonstration of Extrinsic C-Doped Semi-Insulating N-Polar GaN Using Propane Precursor Grown on Miscut Sapphire Substrate by MOCVD
使用丙烷前驱体通过MOCVD在错切蓝宝石衬底上生长的非本征C掺杂半绝缘N极GaN的首次演示
相关领域
金属有机气相外延 蓝宝石 材料科学 化学气相沉积 基质（水族馆） 兴奋剂 丙烷 极地的 表面粗糙度 沉积（地质） 图层（电子） 光电子学 化学工程 纳米技术 外延 复合材料 光学 化学 有机化学 海洋学 地质学 沉积物 生物 天文 古生物学 物理 工程类 激光器
网址
https://www.mdpi.com/2073-4352/13/10/1457/pdf?version=169613...
AI链接 mdpi.com mdpi.com doaj.orgdoi.org
DOI
10.3390/cryst13101457 doi
其它 期刊：Crystals
作者：Swarnav Mukhopadhyay; Surjava Sanyal; Guangying Wang; Chirag Gupta; Shubhra S. Pasayat
出版日期：2023-10-01
求助人
1111111 在 2025-12-03 20:23:09 发布自陕西，悬赏 10 积分
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