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  First Demonstration of Extrinsic C-Doped Semi-Insulating N-Polar GaN Using Propane Precursor Grown on Miscut Sapphire Substrate by MOCVD 使用丙烷前驱体通过MOCVD在错切蓝宝石衬底上生长的非本征C掺杂半绝缘N极GaN的首次演示
相关领域
金属有机气相外延
蓝宝石
材料科学
化学气相沉积
基质（水族馆）
兴奋剂
丙烷
极地的
表面粗糙度
沉积（地质）
图层（电子）
光电子学
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期刊：Crystals 作者：Swarnav Mukhopadhyay; Surjava Sanyal; Guangying Wang; Chirag Gupta; Shubhra S. Pasayat 出版日期：2023-10-01 |
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