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Floating-gate synaptic transistors with bending resistance and strong charge storage capability via interfacial redispersion and reconfiguration 相关领域
神经形态工程学
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期刊:Journal of Materials Chemistry C 作者:Xiao Fu; Weijin Wu; Zhihao Liang; Honglong Ning; Weixin Cheng; et al 出版日期:2026-01-01 |
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